SSD в 10 терабайт на памяти 3D V-NAND от Intel

Память стандарта 3D V-NAND успела подтвердить права на своё существование — реализация большой ёмкости и достаточно высокая надёжность сделала её такой. Всё сходится к тому, что именно 3D V-NAND совершит прорыв в создании недорогих твердотельных накопителей с огробными объёмами — более 10 терабайт. Именно с таким заявлением выступила корпорация Intel на собрании инвесторов, где было озвучено о планах компании во второй декаде 2015 года начать серийное производство чипов ёмкостью 256 и 384 Гбит.

UltraINFO / Новости дня в мире IT - http://ultrainfo.info

UltraINFO / Новости дня в мире IT — http://ultrainfo.info

В таких чипах будут использованы трёхуровневые ячейки, что позволит иметь 32 слоя кристаллов, соединённых с помощью массива специальных вертикальных структур. Появление памяти с такой ёмкостью откроет дорогу к созданию твердотельных жёстких дисков огромного объёма, что недоступно на сегодняшний день. Вице-президент подразделения Intel Роб Крук (Rob Crooke) уверен в том, что за два ближайших года ёмкость SSD на этой технологии сможет перешагнуть отметку в 10 терабайт.
Для справки — компания SanDisk создаёт SSD ёмкостью 4 терабайта и использует при этом 64 дорогие микросхемы eMLC ёмкостью по 512 гигабит (64 Гбайт). Каждая такая микросхема имеет на своём борту четыре кристалла по 128 гигабит. Производство этих чипов выполняется по современному тонкому техпроцессу, а это увеличивает их стоимость и уменьшает их надёжность.

UltraINFO / Новости дня в мире IT - http://ultrainfo.info

UltraINFO / Новости дня в мире IT — http://ultrainfo.info

А вот «трёхмерные» чипы Intel-Micron ёмкостью 256 и 384 гигабита (32 и 48 Гбайт, соответственно) будут использовать более крупные и существенно более дешёвые техпроцессы, а заодно — и более надёжные. К сожалению, о каком именно техпроцессе идёт речь, Intel пока умалчивает. Но рабочие прототипы SSD на базе 256-гигабитных «трёхмерных» чипов уже существуют, и один из них был продемонстрирован на вышеупомянутом мероприятии. Необходимо отметить, что Samsung также активно производит «трёхмерную» флеш-память: её 128-гигабитные чипы имеют 24 или 32 слоя и используют непривычно крупные по нынешним меркам технологические нормы — 42 нанометра. «Видимая ёмкость» этих микросхем составляет 86 Гбит; похоже, Samsung осторожничает, желая любой ценой избежать гипотетических проблем с новой технологией. На этом фоне проект Intel-Micron, стартующий сразу с 256-гигабитной ёмкости, выглядит куда более амбициозно, но и стоимость конечного продукта при таком подходе будет заметно ниже. А от этого, разумеется, выиграют и рядовые пользователи.

UltraINFO / Новости дня в мире IT - http://ultrainfo.info

UltraINFO / Новости дня в мире IT — http://ultrainfo.info

Даже если чипы Intel будут обладать лучшими соотношением цены к ёмкости на рынке, это по прежнему не даст уверенности в том, что они смогут серьёзно и кардинально повлиять на рынок NAND. Как утверждает ChinaFlashMarket.com, фабрика IMFT способна производить 70 тысяч 300-миллиметровых пластин в месяц. Использование фабрик IMFS и MTV сможет добавить в этот список ещё 80 и 40 тысяч 300-миллиметровых пластин ежемесячно, но этого всё равно не достаточно, чтобы равняться с таким игроком, как Samsung — лишь только одна из многих фабрик этого гиганта, которая специально спроектирована для производства нового типа флеш-памяти, легко и непринуждённо выпускает 100 тысяч пластин в месяц, а если подключить и остальные производственные мощности Samsung, которые пригодные для этих же задач, то мы выйдем на отметку выше 400 тысяч пластин.

UltraINFO / Новости дня в мире IT - http://ultrainfo.info

UltraINFO / Новости дня в мире IT — http://ultrainfo.info

Другими словами, новые чипы флеш-памяти Intel, скорее всего не произведут революции на рынке SDD в целом, но они способны сделать модели больших обьёмов более доступными для приобретения и укрепят позиции Intel в этой отрасли.

Вам это может понравиться...

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *