Samsung производит микросхемы DDR4 по 20-нм технологии

Компания Samsung объявила о начале массового производства микросхем оперативной памяти типа DDR4. Плотность составит 8 Гбит, технологическая норма — 20-нм. Эти микросхемы будут использоваться в модулях регистровой памяти, объём которых будет начинаться от 32 Гбайт.

Скорость передачи данных на вывод микросхемы достигает 2400 мегабит в секунду, что, как подмечают составители пресс-релиза, на 29% выше, чем у памяти стандарта DDR3. Эти микросхемы также могут объединяться при помощи сквозных межслойных соединений, что в перспективе позволяет получать модули ОЗУ объёмом 128 Гбайт.

Ранее Samsung освоила выпуск других видов оперативной памяти по 20-нм технологии. В частности, компания выпускает 4-гигабитные микросхемы DDR3 и 6-гигабитные микросхемы LPDDR3, предназначенные для использования в мобильных устройствах.


 

DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR (DDR, DDR2, DDR3). Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания.

Основное отличие DDR4 заключается в удвоенном до 16 числе банков, что позволило вдвое увеличить скорость передачи — до 3,2 Гбит / с. Пропускная способность памяти DDR4 достигает 34,1 ГБ / c (в случае максимальной эффективной частоты 4 266 МГц, определённой спецификациями). Кроме того, повышена надёжность работы за счёт введения механизма контроля чётности на шинах адреса и команд. Будет поддерживать эффективные частоты от 2 133 до 4 266 МГц.

В массовое производство вышла во 2 квартале 2014 года. Старт продаж начался в Японии, а в июле эта память появилась в странах Европы.

Вам это может понравиться...